發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結組成，也具有單向導電性。當給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結附近數(shù)微米內分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。發(fā)光二極管的反向擊穿電壓大于5伏。它的正向伏安特性曲線很陡，使用時串聯(lián)限流電阻以控制通過二極管的電流。

我們平時走在馬路上，會發(fā)現(xiàn)每一個LED組成的屏幕或者畫面都是變化莫測的。這說明LED燈是可以進行高速開關工作的。但是，對于我們平時使用的白熾燈，則達不到這樣的工作狀態(tài)。在平時生活的時候，如果開關的次數(shù)過多，將直接導 致白熾燈燈絲斷裂。這個也是LED燈受歡迎的重要原因。 [3]

發(fā)光效率就是光通量與電功率之比，單位一般為lm/W。發(fā)光效率代表了光源的節(jié)能特性，這是衡量現(xiàn)代光源性能的一個重要指標。

高亮度單色發(fā)光二極管和亮度單色發(fā)光二極管使用的半導體材料與普通單色發(fā)光二極管不同，所以發(fā)光的強度也不同。通常，高亮度單色發(fā)光二極管使用砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，亮度單色發(fā)光二極管使用磷銦砷化鎵（GaAsInP）等材料，而普通單色發(fā)光二極管使用磷化鎵（GaP）或磷砷化鎵（GaAsP）等材料。

1987年，柯達公司鄧青云等成功制備了低電壓、高亮度的有機發(fā)光二極管（OLED），次向世界展示了OLED在商業(yè)上的應用前景‘“。1995年，Kido在science雜志上發(fā)表了白光有機發(fā)光二極管（wOLED）的文章， 雖然效率不高，但揭開了OLED照明研究的序幕。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，OLED的效率和穩(wěn)定性早已滿足小尺寸顯示器的要求，受到眾多儀器儀表、手機和移動終端公司的青睞，大尺寸技術也日漸完善。 [5]

晶片的構成：由金墊，P極，N極，PN結，背金層構成（雙pad晶片無背金層）。晶片是由P層半導體元素，N層半導體元素靠電子移動而重新排列組合成的PN結合體。也正是這種變化使晶片能夠處于一個相對穩(wěn)定的狀態(tài)。在晶片被一定的電壓施加正向電極時，正向P區(qū)的空穴則會源源不斷的游向N區(qū)，N區(qū)的電子則會相對于孔穴向P區(qū)運動。在電子，空穴相對移動的同時，電子空穴互相結對，激發(fā)出光子，產(chǎn)生光能。