| 供應(yīng)商 | 北京汐源科技有限公司 店鋪 |
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| 認(rèn)證 | |
| 報(bào)價(jià) | 面議 |
| 關(guān)鍵詞 | 湖北硅晶碇切片膠,硅晶碇切片膠藍(lán)寶石,硅晶碇切片膠藍(lán)寶石,硅晶碇切片膠藍(lán)寶石 |
| 所在地 | 北京建國(guó)路15號(hào)院 |
9年
前30 min頂部沉積速率的異常下降是由于預(yù)處理后時(shí)間過(guò)
長(zhǎng)造成的。在電化學(xué)反應(yīng)之前銅離?和添加劑分?的充分?jǐn)U
散導(dǎo)致在初始階段相對(duì)較快的沉積。隨著反應(yīng)的進(jìn)?，電解
液中的銅離?從陰極接受電?并不斷轉(zhuǎn)化為銅。隨著縱橫比
的增加，銅離?向底部的擴(kuò)散速率降低。銅離?的傳質(zhì)限制
降低了沉積到底部的速率。同時(shí)，銅離?在頂部的積累提?
了沉積速率。逐漸地，頂部的電沉積速率超過(guò)底部的電沉積
速率，終導(dǎo)致接縫缺陷。
TSV制作流程會(huì)涉及到深刻蝕、PVD、CVD、銅填充、微凸點(diǎn)及RDL電 鍍、清
洗、減薄、鍵合等??余種設(shè)備，其中通孔制作、絕緣層/阻擋層/ 種?層的沉
積、銅填充、晶圓減薄、晶圓鍵合等?序涉及的設(shè)備為關(guān) 鍵，在某種程度上
直接決定了TSV的性能指標(biāo)。
基于玻璃通孔的MEMS封裝
2013年，LEE等利用玻璃穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)射頻MEMS器件的晶圓級(jí)封裝， 采用電
鍍?案實(shí)現(xiàn)通孔的完全填充，通過(guò)該?案制作的射頻MEMS器件在 20GHz時(shí)具
有0.197dB的低插?損耗和20.032dB的?返回?fù)p耗。2018年， LAAKSO等創(chuàng)造性
地使用磁輔助組裝的?式來(lái)填充玻璃通孔，并用于 MEMS器件的封裝中。
所屬分類(lèi)：電子產(chǎn)品制造設(shè)備/蝕刻機(jī)
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